紫外光照射による酸化物半導体薄膜の作製法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004085867
Publication number (International publication number)：2005272189
Application date： Mar. 24, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】簡易な操作により、基材の特定部位に、導電性または光触媒機能を有する金属酸化物薄膜を形成することのできる技術を提供する。【解決手段】所望の金属酸化物の前駆体となる金属有機化合物を有機溶媒中に分散し、該金属有機化合物分散溶液に浸漬した基材に紫外領域のレーザー光(好ましくは300nm以上の長波長の紫外光レーザー)を照射することにより、該基材の光照射部位に前記金属酸化物の薄膜を生成する。酸化インジウム、酸化スズまたは酸化チタンなどの薄膜の作製に適している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

所望の金属酸化物の前駆体となる金属有機化合物を有機溶媒中に分散し、該金属有機化合物分散溶液に浸漬した基材に紫外領域のレーザー光を照射することにより、該基材の光照射部位に前記金属酸化物の薄膜を生成する工程を含むことを特徴とする、金属酸化物薄膜の作製方法。

IPC (3)：

C01B13/32 , B01J35/02 , C01G15/00

FI (3)：

C01B13/32 , B01J35/02 J , C01G15/00 B

F-Term (20)：

4G042DA01 , 4G042DB15 , 4G042DC01 , 4G042DD02 , 4G042DE07 , 4G042DE14 , 4G069AA02 , 4G069AA08 , 4G069BA04B , 4G069BA48A , 4G069BB04A , 4G069BB04B , 4G069BC18A , 4G069BC18B , 4G069BC22A , 4G069CA01 , 4G069CA10 , 4G069EA07 , 4G069FA03 , 4G069FB58

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特許第3489844号公報
透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-330058 Applicant：住友金属鉱山株式会社
透明電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-214011 Applicant：三井化学株式会社

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Cited by examiner (9)

特開平3-075203
特開昭59-169905
金属微粒子の導電性材料表面への光析出・固定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-276369 Applicant：科学技術振興事業団

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