固体撮像装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小笠原史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004299850
Publication number (International publication number)：2006114657
Application date： Oct. 14, 2004
Publication date： Apr. 27, 2006
Summary：

【課題】遮光膜表面における入射光の反射率が均一であることから感度ムラを抑えることができ、しかも遮光膜の薄膜化が図れるため画素の微細化が実現できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】遮光膜7の上に、少なくともこの遮光膜を覆う酸化防止層9を形成する。酸化防止層9は、遮光膜7の表面が酸化されないような条件下で形成する。酸化防止層9は、遮光性を有する高融点金属化合物膜、あるいは透光性を有する絶縁膜にて形成される。これにより、遮光膜7の表面における入射光の散乱率を全ての画素において均一に保つことができ、感度ムラが抑制された固体撮像装置を実現できる。また、遮光膜7の表面は酸化されないため、遮光膜7の薄膜化が図れ、画素の微細化に対応できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

受光部への入射光量に応じた電気信号を出力する固体撮像装置であって、半導体基板の主面に形成された受光部と、前記受光部の上部に開口部が形成された遮光膜と、少なくとも前記遮光膜を覆い、当該遮光膜の表面における酸化を防止するための酸化防止層と、前記酸化防止層を含めて前記半導体基板の全面を覆う平坦化層とを備えた、固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/14 , H04N 5/335 , H01L 27/148

FI (3)：

H01L27/14 D , H04N5/335 F , H01L27/14 B

F-Term (21)：

4M118AA05 , 4M118AA06 , 4M118AB01 , 4M118BA09 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118CA03 , 4M118CA32 , 4M118DA03 , 4M118FA06 , 4M118FA08 , 4M118FA35 , 4M118GB03 , 4M118GB08 , 4M118GB11 , 4M118GB18 , 5C024AX01 , 5C024CX27 , 5C024CY47 , 5C024GZ36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

固体撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-065366 Applicant：ソニー株式会社
固体撮像素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-255643 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (5)

固体撮像装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-125268 Applicant：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
CCD固体撮像素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-314254 Applicant：松下電子工業株式会社
固体撮像素子の遮光膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-009320 Applicant：株式会社東芝

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