AlN系III族窒化物エピタキシャル膜の転位低減方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006337996
Publication number (International publication number)：2008060519
Application date： Dec. 15, 2006
Publication date： Mar. 13, 2008
Summary：

【課題】基材上にエピタキシャル形成されたAlN系III族窒化物結晶の転位の低減を容易に実現する方法を提供する。【解決手段】酸化物単結晶の基材1とその主面上にエピタキシャル形成されたAlN系III族窒化物結晶膜からなる上部層2とで構成された、エピタキシャル基板10を加熱処理することで、基材1側からのO原子の拡散を生じさせ、加熱処理前には基材側に偏在している上部層2のO原子の分布を均一化させる。この拡散によるO原子の移動は、転位を移動させ、さらにはその合体消失を生じさせる。これにより、III族窒化物結晶内の転位密度を加熱処理前の1/10以下とすることができる。酸素元素ガス含有雰囲気下で加熱した場合には、O原子の拡散が基板表面側からも生じるので、転位の合体消失をより促進させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

所定の酸化物単結晶基板上にAlN系III族窒化物にて形成されてなるエピタキシャル膜の転位を低減する方法であって、加熱によって前記エピタキシャル膜の外部から前記エピタキシャル膜中に向けて酸素原子を拡散させる拡散処理工程、を備えることを特徴とするAlN系III族窒化物エピタキシャル膜の転位低減方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , C30B 33/02

FI (3)：

H01L21/205 , C30B29/38 C , C30B33/02

F-Term (21)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE13 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077FE03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TK01 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AD16 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045DA67 , 5F045GB11 , 5F045HA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特許3455512号公報
単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、III族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-068361 Applicant：財団法人理工学振興会
III-V族窒化物系半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-084963 Applicant：日本電気株式会社, 日立電線株式会社

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Cited by examiner (3)

窒化物系半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-022732 Applicant：シャープ株式会社
特開平2-141495
特開平2-141495

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