電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川澄茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002012472
Publication number (International publication number)：2003218128
Application date： Jan. 22, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】InGaN低温堆積層を用いることにより、GaN系電界効果トランジスタのエピタキシャル層の総膜厚について、反り量を20μm以下に抑えるのに必要な1μm以下にすることを実現可能とすると共に、充分なデバイス特性を得ること。【解決手段】サファイア基板6上にInGaN低温堆積層5を設け、そのInGaN低温堆積層5上に、GaNバッファ層4を介して、GaN系電界効果トランジスタ構造1〜3を設け、成長層の総膜厚を0.3μm以上1μm以下とする。In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N低温堆積層のIn組成xは0<x<0.3の範囲にする。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に、InGaN低温堆積層を介して、窒化ガリウムを含む窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系化合物半導体の電界効果トランジスタ構造を成長し、成長層の総膜厚を0.3μm以上1μm以下としたことを特徴とする電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ。

IPC (4)：

H01L 21/338 , H01L 21/205 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 29/80 H

F-Term (26)：

5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045BB07 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045CA06 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-179544 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-302918 Applicant：株式会社東芝
半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-322264 Applicant：株式会社日立製作所

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