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J-GLOBAL ID：200903003271582905

荷電粒子ビームを用いた半導体ウェハ試料の検査方法および装置

Inventor：
田中 幸浩

About 田中 幸浩

, 
大田 繁正

About 大田 繁正


Applicant, Patent owner：
日本電子株式会社

About 日本電子株式会社


Agent (2)： 井島 藤治 ,  鮫島 信重
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003426393
Publication number (International publication number)：2005183881
Application date： Dec. 24, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】 試料に照射する荷電粒子ビームを計測目的に応じて的確に制御することで、吸収電流検出感度と検出精度を向上させることができる荷電粒子ビームを用いた半導体ウェハ試料の検査方法および装置を実現する。【解決手段】 半導体ウェハ試料4の所定2次元領域で荷電粒子ビームを走査し、試料の吸収電流を検出し、吸収電流値に基づいて試料4の平面状表面に設けられた構造の検査を行う際、半導体ウェハ試料4の上部に制御電極16を配置し、半導体ウェハ試料の所定2次元領域で荷電粒子ビームを走査する際、試料の平面状表面の電子放出率が1となるように、荷電粒子ビームの加速電圧および制御電極の電位を制御して、試料表面電界の強度を制御する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体ウェハ試料の所定2次元領域で荷電粒子ビームを走査し、試料の吸収電流を検出し、吸収電流値に基づいて試料の平面状表面に設けられた構造の検査を行う検査方法において、半導体ウェハ試料の所定2次元領域で荷電粒子ビームを走査する際、試料の平面状表面の電子放出率が1となるように、荷電粒子ビームの加速電圧および試料表面電界の強度を制御するようにした荷電粒子ビームを用いた半導体ウェハ試料の検査方法。
IPC (2)：
H01L21/66 ,  H01J37/28
FI (2)：
H01L21/66 J ,  H01J37/28 B
F-Term (11)：
4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB02 ,  4M106DB05 ,  4M106DB12 ,  4M106DH33 ,  5C033UU01 ,  5C033UU02 ,  5C033UU03 ,  5C033UU04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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