Pat
J-GLOBAL ID：200903003551244452

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

Inventor：
高橋 秀治

About 高橋 秀治


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (1)： 松浦 憲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008053532
Publication number (International publication number)：2009212289
Application date： Mar. 04, 2008
Publication date： Sep. 17, 2009
Summary：
【課題】エッチングレートの高速化とレジスト選択比を向上させる。【解決手段】プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (6)：
H01L 21/306 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (9)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/302 101C ,  H01L21/302 104C ,  H01L21/302 104Z ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101Z ,  H01L27/10 444C
F-Term (26)：
5F004AA03 ,  5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB22 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004DB08 ,  5F004EA05 ,  5F004EA06 ,  5F004EB08 ,  5F083FR00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
Show all
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM