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J-GLOBAL ID：200903003794299573

不揮発性メモリの書き込み回路

Inventor： 保高 和夫
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999081792
Publication number (International publication number)：2000276884
Application date： Mar. 25, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 不揮発性メモリの書き込み時間を短縮する。【解決手段】 フラッシュメモリ1の1ページの全内容を書き換える場合、初期化プログラムの実行に伴いレジスタ12に論理値「1」の指示信号PAGEWRTがセットされる為、書き込み制御回路10は論路値「0」の指示信号PAGEWRTが供給されてフラッシュメモリ1の書き込み動作を制御する。即ち、フラッシュメモリ1における一連の書き換えシーケンスの中で、フラッシュメモリ1のページバッファ5、6に対する既存データの出力動作を禁止でき、書き込み時間を短縮できる。特に、フラッシュメモリ1は1セル当たりの書き込み時間が数msecと長い為、本発明の作用効果は顕著に現れる。

Claim (excerpt)：

データの電気消去及びデータの書き込み読み出しが可能な特性を有し、一定記憶容量の複数ブロックから成る不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを構成する1ブロック分の格納容量を有し、所定1ブロック中で書き換えを必要とするデータを格納するバッファ回路と、前記不揮発性メモリにおける所定1ブロックの全データ書き換え又は所定ブロックの一部データ書き換えを指示する指示データに応じて、前記不揮発性メモリの所定ブロックに対する書き込みシーケンスを制御する制御回路と、マイクロコンピュータの為の初期化プログラムを実行することにより前記指示データが前記制御回路に対し出力可能状態にセットされる保持回路と、を備えたことを特徴とする不揮発性メモリの書き込み回路。

IPC (2)：

G11C 16/02 ,  G11C 7/00 312

FI (2)：

G11C 17/00 611 G ,  G11C 7/00 312 C

F-Term (7)：

5B025AA00 ,  5B025AB00 ,  5B025AC00 ,  5B025AD00 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体ディスク装置およびその書換回数管理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-005172   Applicant：株式会社東芝
• 半導体ディスク装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-095126   Applicant：株式会社東芝
• 半導体記憶装置とメモリ制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-056655   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体ディスク装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-095125   Applicant：株式会社東芝
• 半導体記憶装置、及びデータ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-326462   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Am29DL800T/Am29DL800B, 199708, P.1-21