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J-GLOBAL ID：200903025796124570

半導体記憶装置とメモリ制御方法

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Inventor： 海野 雄策 ,  宮田 学
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 佐藤 幸男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994056655
Publication number (International publication number)：1995244992
Application date： Mar. 02, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【構成】 フラッシュメモリ部16のデータを書換える場合、転送制御部14aは、先ず、ホストからのライトデータがフラッシュメモリ部16のどの領域へのデータであるかを調べる。ホストからのライトデータが、フラッシュメモリ部16の1ブロック分なかった場合は、そのデータを含むブロックのデータをバッファ部17に転送し、このバッファ部17上で、データの書換えを行う。更に、フラッシュメモリ部16の該当ブロックのデータを消去し、このブロックに、バッファ部17上で書換えたデータを書戻す。一方、ホストからのライトデータが、フラッシュメモリ部16の1ブロック分あった場合は、そのブロック分のデータはバッファ部17に転送せず、そのブロックを消去した後、ライトデータを直接書込む。【効果】 データ書換えを高速に行うことができる。

Claim (excerpt)：

ブロック単位でデータの消去が行われるフラッシュメモリ部を備えた半導体記憶装置において、前記フラッシュメモリ部のデータを書換える場合に、一旦、書換えるデータを転送するバッファ部と、ホストからのライトデータが、前記フラッシュメモリ部の1ブロック分なかった場合は、そのデータを含むブロックを前記フラッシュメモリ部から前記バッファ部へ転送して、当該バッファ部上で書換えを行い、前記ブロックの消去を行った後、前記バッファ部上で書換えた1ブロック分のデータを書戻し、かつ、前記ホストからのライトデータが、1ブロック分あった場合は、そのブロック分のデータを前記フラッシュメモリ部から前記バッファ部へ転送せず、当該ブロックの消去を行った後、前記ライトデータを直接書込む転送制御部とを備えた半導体記憶装置。

FI (2)：

G11C 17/00 530 B ,  G11C 17/00 510 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 不揮発性記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-081472   Applicant：沖電気工業株式会社
• 不揮発性半導体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-077940   Applicant：株式会社東芝
• 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-197318   Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
• 特開平4-147495
  
• 不揮発性半導体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-174234   Applicant：株式会社東芝