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J-GLOBAL ID：200903004310701786

デバイス、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールの製造方法

Inventor： 堀 勝 ,  平松 美根男 ,  加納 浩之 ,  杉山 徹
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  堀 勝 ,  平松 美根男
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005093311
Publication number (International publication number)：2006278586
Application date： Mar. 28, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】ナノスケールを有する新規なカーボン構造物を利用した新規なデバイス、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールの製造方法を提供する。【解決手段】デバイスは、伝導領域がカーボンナノウォールを基材として形成されている。カーボンナノウォールはヘテロ原子が含有されているものでも、ヘテロ原子を含有しないものでも良い。ヘテロ原子を含むカーボンナノウォールは、ヘテロ原子と炭素源とを含む原料ガスをプラズマCVD法により製造できる。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

伝導領域がカーボンナノウォールを基材として形成されていることを特徴とするデバイス。

IPC (11)：

H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/66 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78

FI (13)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 101F ,  H01L21/205 ,  H01L29/66 E ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 621B ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 626Z ,  H01L29/78 301H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 301B

F-Term (75)：

4G146AA07 ,  4G146AA15 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AD05 ,  4G146AD21 ,  4G146AD23 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA17 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC41 ,  4G146BC45 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AF03 ,  5F045EE06 ,  5F045EH13 ,  5F083AD21 ,  5F083AD61 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F102FA00 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F110AA04 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F140AA00 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BB01 ,  5F140BB02 ,  5F140BB05 ,  5F140BC11 ,  5F140BF42 ,  5F140BF51 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• カーボンナノチューブおよびその製造方法、電子源およびその製造方法、並びに、表示装置
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2001001326   Applicant：シャープ株式会社
• フィールド・エミッタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-190659   Applicant：ジスーン・イーム
• ナノチューブの目標蒸着法および電子部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-113542   Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
• ナノホーン担持体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-062530   Applicant：科学技術振興事業団, 日本電気株式会社
• 輪列を有する時計及び輪列装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-390277   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社

Cited by examiner (4)

• 微細構造体の製造方法および微細構造体、ならびに記録装置の製造方法および記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-294398   Applicant：ソニー株式会社
• 集積回路素子の容量を増加させる方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-181128   Applicant：財団法人工業技術研究院
• トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-166504   Applicant：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
• 電界効果型半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-015216   Applicant：三洋電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Carbon Nanowalls Grown by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition