電界効果型センサ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008144199
Publication number (International publication number)：2009288214
Application date： Jun. 02, 2008
Publication date： Dec. 10, 2009
Summary：

【課題】ノイズが存在する環境においても、ISFET型の電界効果型センサにより目的とする物質をより正確に検出できるようにする。【解決手段】複数のイオン感応型電界効果トランジスタ(ISFET)101および各ISFET101に共通に設けられてISFET101の各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部102を備える。ISFET101は、バックゲート111,ソース112,およびドレイン113を備える。また、本実施の形態における電界効果型センサは、ISFET101の各々に共通のゲート電圧をバックゲート11に印加するゲート電圧印加部103、および,ISFET101の各々のソース112とドレイン113との間電流を検出する検出部104を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

バックゲートを備える複数のイオン感応型電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタの各々に共通に設けられて前記イオン感応型電界効果トランジスタの各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部と、前記イオン感応型電界効果トランジスタの各々に共通のゲート電圧を前記バックゲートに印加するゲート電圧印加手段と、前記イオン感応型電界効果トランジスタの各々のソース・ドレイン間電流を検出する検出手段とを少なくとも備えることを特徴とする電界効果型センサ。

IPC (2)：

G01N 27/414 , G01N 27/00

FI (6)：

G01N27/30 301X , G01N27/30 301R , G01N27/30 301Y , G01N27/30 301U , G01N27/30 301L , G01N27/00 J

F-Term (9)：

2G060AA01 , 2G060AE19 , 2G060AF07 , 2G060AG06 , 2G060AG08 , 2G060DA12 , 2G060DA33 , 2G060HC07 , 2G060HC10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

トランジスタによる分子検出装置および方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-537156 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
ガスセンサ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-521493 Applicant：ミクロナスゲーエムベーハー, アルベルト-ルートヴィッヒ-ユニベルジテートフライブルク
バイオセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-101309 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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Cited by examiner (5)

トランジスタによる分子検出装置および方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-537156 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
ガスセンサ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-521493 Applicant：ミクロナスゲーエムベーハー, アルベルト-ルートヴィッヒ-ユニベルジテートフライブルク
バイオセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-101309 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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