化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003367932
Publication number (International publication number)：2005136001
Application date： Oct. 28, 2003
Publication date： May. 26, 2005
Summary：

【課題】電流コラプスを低減させてRF特性を改善し、携帯電話基地局用アンプに必要とされる耐圧を得ることを可能とする。【解決手段】 AlGaN層3を成長形成するに際して、i-GaN層2上にノンドープでAl組成率が15%程度のAlGaN層(i-AlGaN層)11を膜厚3nm程度に成長し、更にSiを濃度2×1018/cm3程度にドープしたAl組成率が15%程度のAlGaN層(n-AlGaN層)12を膜厚17nm程度に成長し、これら2層構造からなるAlGaN層3を形成する。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

電子走行層となる第1の窒化物半導体層と、電子供給層となり、Alを含有する第2の窒化物半導体層と、 Alの含有量が0又は前記第2の窒化物半導体層よりも少ない第3の窒化物半導体層とが基板上に順次成長してなる積層体を含み、前記第3の窒化物半導体層は、その表面から深さ2nm以内における窒素空孔率が20%以下とされてなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5)：

H01L21/338 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (3)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , H01L21/28 301B

F-Term (43)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD68 , 4M104GG12 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045CA07 , 5F045DA62 , 5F045EE12 , 5F102FA01 , 5F102FA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GL08 , 5F102GL15 , 5F102GL16 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GM09 , 5F102GM10 , 5F102GQ01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GV08 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電界効果型化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-164908 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (5)

電界効果型化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-164908 Applicant：富士通株式会社
半導体ウェハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-336984 Applicant：日立電線株式会社
窒化物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-245134 Applicant：ソニー株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

GaN電子デバイスの表面安定化と絶縁ゲート構造 Insulated-eate and surface-nassivation structures fo

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