半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005115548
Publication number (International publication number)：2006294968
Application date： Apr. 13, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：

【課題】飽和電流を増加させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】高濃度のN型不純物を含むドレイン層101上には、ドレイン層101よりも不純物濃度の低いN型Siからなる中間層102が形成されている。中間層102には、断面が矩形状である複数のトレンチが形成されており、そのトレンチを埋めるようにN型層103が形成されている。このN型層103は、ドレイン層101よりも不純物濃度が低く、中間層102よりも不純物濃度が高いN型Siからなる層であり、動作時の電流の主経路となるドリフト層を構成している。また、中間層102には、N型層103と同様に複数のトレンチが形成されており、そのトレンチを埋めるように、P型SiからなるP型層104が形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体を含み、動作時の電流の主経路となる第1の半導体層と、第2導電型の半導体で溝を埋めることにより形成された第2の半導体層とが、前記電流の流路を横切る方向に交互に並ぶように形成された半導体装置において、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に、前記第1の半導体層よりも不純物濃度の低い第1導電型の半導体を含む中間層を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 653A , H01L29/78 655B , H01L29/78 658E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

MIS半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-298069 Applicant：富士電機ホールディングス株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-314999 Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社
超接合半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-209267 Applicant：富士電機株式会社

Show all

Cited by examiner (5)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-314999 Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社
超接合半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-209267 Applicant：富士電機株式会社
半導体装置とそれを用いたパワースイッチング駆動システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-349785 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page