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J-GLOBAL ID：200903004618125220

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
川口 佳伸

About 川口 佳伸

, 
近藤 雅文

About 近藤 雅文

, 
神川 剛

About 神川 剛


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (2)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005298361
Publication number (International publication number)：2006203162
Application date： Oct. 13, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：
【課題】金属の密着層のようにpn接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】III-V族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー100の前面側の共振器端面113に、六方晶の結晶からなる密着層115を積層し、密着層115に端面コート膜116を積層し、同様に背面側の共振器端面114にも六方晶半導体層からなる密着層118を積層し、密着層118に端面コート膜117を積層した構成とする。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
III-V族窒化物半導体層と、前記III-V族窒化物半導体層に設けられた共振器と、前記共振器の端面に形成された端面コート膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、 前記共振器の端面と前記端面コート膜との間に六方晶の結晶からなる密着層を設けたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (3)：
H01S 5/028 ,  H01S 5/323 ,  C23C 14/06
FI (3)：
H01S5/028 ,  H01S5/323 610 ,  C23C14/06 P
F-Term (35)：
4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BA58 ,  4K029BA59 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC39 ,  4K029DC48 ,  4K029FA04 ,  4K029FA05 ,  5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AL03 ,  5F173AL05 ,  5F173AL12 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL16 ,  5F173AL21 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP73 ,  5F173AP76 ,  5F173AP78 ,  5F173AP82 ,  5F173AP87 ,  5F173AR68
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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