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J-GLOBAL ID：200903004779804217

半導体電子デバイス

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝

, 
佐々木 正行

About 佐々木 正行

, 
寺島 一高

About 寺島 一高


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003366328
Publication number (International publication number)：2005129856
Application date： Oct. 27, 2003
Publication date： May. 19, 2005
Summary：
【課題】 ピンチオフ特性に優れた窒化物系化合物半導体を用いた電子デバイスを提供することにある。【解決手段】 窒化物系化合物半導体から成る電子デバイスの基板上にバッファ層としてBPを含む薄い層と含まない薄い層を交互に複数積層し、格子不整合に基づく膜厚方向に垂直に延びる転位欠陥の成長を抑え、さらにバッファ層中のバンドギャップエネルギーの小さい方の層への2次元電子ガスの蓄積を抑えることによってリーク電流の発生を抑制する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
窒化物系化合物半導体を用いた半導体電子デバイスにおいて、少なくとも基板と、バッファ層、電子走行層、電子供給層及び電極とを有し、 前記バッファ層は、組成式Ga1-cBcPdN1-d(0<c≦1、0<d≦1)から成る第1の層と、組成式 AlxInyGa1-x-yAsuPvN1-u-v(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1、0≦u<1、0≦v<1、u+v<1)から成る第2の層を含み、かつ前記バッファ層中の2次元電子ガス密度が5×1012cm-2以下であることを特徴とする半導体電子デバイス。
IPC (4)：
H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (2)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
F-Term (33)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC00 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK02 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (8)
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