磁気記憶装置及びその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002324105
Publication number (International publication number)：2004128430
Application date： Nov. 07, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】書き込み電流の低減を図る。【解決手段】磁気記憶装置は、第1の方向に延在された第1の配線13と、第2の方向に延在された第2の配線19と、第1及び第2の配線13,19の交点に配置された磁気抵抗効果素子15と、少なくとも第1の配線13の下面及び両側面のいずれかの面を覆う第1のヨーク本体部12と、少なくとも第2の配線19の上面及び両側面のいずれかの面を覆う第2のヨーク本体部20と、磁気抵抗効果素子15の第1の方向における両側面に磁気抵抗効果素子15と離間して配置された第1及び第2のヨークティップ部18a、18bと、磁気抵抗効果素子15の第2の方向における両側面に磁気抵抗効果素子15と離間して配置された第3及び第4のヨークティップ部18c、18dとを具備する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の方向に延在された第1の配線と、前記第1の方向と異なる第2の方向に延在された第2の配線と、前記第1及び第2の配線間の前記第1及び第2の配線の交点に配置された磁気抵抗効果素子と、少なくとも前記第1の配線の下面及び両側面のいずれかの面を覆う第1のヨーク本体部と、少なくとも前記第2の配線の上面及び両側面のいずれかの面を覆う第2のヨーク本体部と、前記磁気抵抗効果素子の前記第1の方向における両側面に前記磁気抵抗効果素子と離間して配置された第1及び第2のヨークティップ部と、前記磁気抵抗効果素子の前記第2の方向における両側面に前記磁気抵抗効果素子と離間して配置された第3及び第4のヨークティップ部とを具備することを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (3)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08

FI (4)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 110 , H01L43/08 P , H01L43/08 Z

F-Term (8)：

5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA19 , 5F083JA37 , 5F083JA60 , 5F083PR29 , 5F083PR39 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

磁気メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-255308 Applicant：三洋電機株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265663 Applicant：株式会社東芝
磁気メモリおよびその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-326133 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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