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J-GLOBAL ID：200903005152370170

パターン形成方法

Inventor：
佐藤 康彦

About 佐藤 康彦


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998268680
Publication number (International publication number)：2000100699
Application date： Sep. 22, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 レジストの膜厚を薄くしても、寸法制御性よく被加工膜の加工を行うことを可能とするパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 被加工膜上にシリコンと窒素の結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含有する下層膜、またはシリカ微粒子を含む溶液を塗布して下層膜を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に所定パターンを露光してレジストパターンを形成する工程とを具備することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
被加工膜上にシリコンと窒素の結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含有する下層膜を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に所定パターンを露光してレジストパターンを形成する工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。
FI (2)：
H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 573
F-Term (10)：
5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046KA04 ,  5F046LA12 ,  5F046LB01 ,  5F046LB09 ,  5F046NA01 ,  5F046NA12 ,  5F046NA15 ,  5F046NA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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