高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001269745
Publication number (International publication number)：2002161116
Application date： Sep. 06, 2001
Publication date： Jun. 04, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、kは0又は1である。mは0、1、2、3又は4である。nは1又は2である。)【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、kは0又は1である。mは0、1、2、3又は4である。nは1又は2である。)

IPC (4)：

C08F 32/00 , C08G 61/08 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (4)：

C08F 32/00 , C08G 61/08 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (54)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025FA17 , 4J032BA07 , 4J032BB06 , 4J032BC01 , 4J032BC03 , 4J032CA36 , 4J032CA46 , 4J032CB01 , 4J032CB04 , 4J032CB05 , 4J032CB12 , 4J032CD00 , 4J032CD09 , 4J032CE03 , 4J032CG06 , 4J100AK32R , 4J100AL08Q , 4J100AR09P , 4J100AR09Q , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA10Q , 4J100BA11P , 4J100BA15Q , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC22Q , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ラクトン部分を有する環式オレフィン・ポリマを有するフォトレジスト組成
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-130763 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
ポリマーおよびフォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-050207 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー
新規モノマー、ポリマー、それらの合成方法及びフォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-050311 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー

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