炭化ケイ素単結晶及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002158938
Publication number (International publication number)：2003073194
Application date： May. 31, 2002
Publication date： Mar. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 p型半導体等として好適に使用可能な炭化ケイ素単結晶及びその効率的な製造方法の提供。【解決手段】窒素含有量が100質量ppm以下である炭化ケイ素粉末を昇華させてから再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。該炭化ケイ素粉末が、ケイ素源とキシレン系樹脂とを少なくとも含有する混合物を焼成して得られる態様、該混合物が、ケイ素源に酸を添加した後、キシレン系樹脂を添加して得られる態様などが好ましい。前記炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造される炭化ケイ素単結晶である。非破壊で光学的に画像検出した中空パイプ状の結晶欠陥が100個/cm2以下である態様、体積抵抗値が1×101Ω・cm以下である態様、窒素含有量が0.01質量ppm以下である態様などが好ましい。

Claim (excerpt)：

窒素含有量が100質量ppm以下であり、元素周期律表における13族元素を除く不純物元素の各含有量が0.1質量ppm以下であり、かつ元素周期律表における13族元素の総含有量が窒素含有量(原子ppm)以上である炭化ケイ素粉末を昇華させてから再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。

F-Term (12)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077DA19 , 4G077EA02 , 4G077EB06 , 4G077EC02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077SA04 , 4G077SA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-339760 Applicant：新日本製鐵株式会社
炭化ケイ素単結晶製造用高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-304901 Applicant：株式会社ブリヂストン
炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-118817 Applicant：昭和電工株式会社

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Cited by examiner (6)

炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-103719 Applicant：株式会社豊田中央研究所
単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法
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