化合物半導体気相成長方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部惠行 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997087570
Publication number (International publication number)：1997315899
Application date： Mar. 21, 1997
Publication date： Dec. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】導電性化合物半導体基板上に、高品質の化合物半導体InGaNエピタキシャル層を成長させる方法の提供。【解決手段】三塩化インジウムを含む第1のガス及びアンモニアの含む第2のガスを、外部から第1の温度に加熱した反応チャンバー56に導入し、キャリアガスN2 (窒素)を用いて基板1上にInNを気相成長させ、バッファ層を形成する。次に、塩化水素およびガリウムを含む第3のガスを、第1のガス及び第2のガスと共に、より高い第2の温度に加熱したチャンバー56に導入し、キャリアガスN2 を用いてバッファ層上にInx Ga1-x N層を気相成長させる。窒素(N2 )に替えてヘリウム(He)をキャリアガスに用いることによって、均一性がさらに良好なInx Ga1-x N層を得ることができる。なお、バッファ層は、InNに替えてGaNにより形成することができる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体インジウムガリウム窒素(In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N、ただし、0<x<1)の気相成長において、インジウム(In)原料を三塩化インジウム(InCl<SB>3</SB> )とすることを特徴とする化合物半導体気相成長方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 , C30B 25/02 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (5)：

C30B 29/38 D , C30B 25/02 Z , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭48-088099
p型AlGaN系半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-163217 Applicant：三菱電線工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-093964 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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