近接場光露光用マスクおよびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柳田征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999272045
Publication number (International publication number)：2001066762
Application date： Sep. 27, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】露光光に対して透明であるマスク母材の一表面側に、所定パターンの開口部を残すように遮光膜が形成されてなる近接場光露光用マスクにおいて、近接場光をフォトレジスト等の被露光物に十分な強度で照射可能とし、また遮光膜が薄いことによるカブリや耐久性の問題を解決する。【解決手段】露光光に対して透明であるマスク母材10の一表面側に、所定パターンの開口部11aを残すように遮光膜11が形成されてなる近接場光露光用マスク20において、前記開口部11aに、遮光膜11が形成されるマスク母材10の表面部分から所定高さ突出した、露光光に対して透明である充填部材14を配し、遮光膜11の厚さdを、充填部材14の突出高さをhとしたときh-50nm≦d≦h+50nmとなる範囲にする。

Claim (excerpt)：

露光光に対して透明であるマスク母材の一表面側に、所定パターンの開口部を残すように遮光膜が形成されてなる近接場光露光用マスクにおいて、前記遮光膜により形成された前記開口部に、遮光膜が形成されるマスク母材表面部分から所定高さ突出した、露光光に対して透明である充填部材が配されていることを特徴とする近接場光露光用マスク。

IPC (2)：

G03F 1/14 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 1/14 Z , H01L 21/30 502 P

F-Term (6)：

2H095BA03 , 2H095BB16 , 2H095BB27 , 2H095BC08 , 2H095BC24 , 2H095BC28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-319781 Applicant：株式会社日立製作所
フォトマスクの製造方法およびフォトマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-088271 Applicant：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
光ファイバープローブ及びそれを用いた近接場光学顕微鏡
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-313920 Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー

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