記憶素子、メモリ

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 伊藤仁恭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005348112
Publication number (International publication number)：2007157840
Application date： Dec. 01, 2005
Publication date： Jun. 21, 2007
Summary：

【課題】スピンポンピング現象の発生を抑制することができると共に、充分な熱安定性を有する記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17に、トンネル絶縁層16を介して磁化固定層31が設けられ、積層方向に電流を流してスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層17の磁化M1の向きが変化して、情報が記録される記憶素子3において、記憶層17の磁化固定層31とは反対側に、スピン偏極した電子の拡散を抑制するスピンバリア層18を設け、このスピンバリア層18を、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる1種以上の材料から構成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、前記記憶層に対して、トンネル絶縁層を介して、磁化固定層が設けられ、積層方向に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子であって、前記記憶層の前記磁化固定層とは反対側に、スピン偏極した電子の拡散を抑制するスピンバリア層が設けられ、前記スピンバリア層が、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる1種以上の材料から構成されていることを特徴とする記憶素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/10 , H01L 29/82

FI (4)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L43/10 , H01L29/82 Z

F-Term (9)：

5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA19 , 5F083JA20 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-203934 Applicant：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー

Cited by examiner (4)

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-217108 Applicant：ソニー株式会社
磁気抵抗デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-369692 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265663 Applicant：株式会社東芝

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