磁気抵抗デバイス及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工藤実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003369692
Publication number (International publication number)：2004172599
Application date： Oct. 29, 2003
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】磁気抵抗素子を他の素子に電気的に接続する導体(例えば,ビア及び配線)と,磁気抵抗素子を構成する層との間の相互拡散を防止することにより,磁気抵抗素子の熱的安定性を,一層に向上する技術を提供する。【解決手段】本発明による磁気抵抗デバイスは,反転可能な自由自発磁化を有する自由強磁性層(10)と,固定された固定自発磁化を有する固定強磁性層(8)と,自由強磁性層(10)と固定強磁性層(8)との間に介設されたトンネル絶縁層(9)を含む磁気抵抗素子(4)と,磁気抵抗素子(4)を他の素子に電気的に接続する非磁性の導体(2,3,11)と,導体(2,3,11)と磁気抵抗素子(4)との間に設けられた拡散防止構造体(13,14)とを備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

反転可能な自由自発磁化を有する自由強磁性層と,固定された固定自発磁化を有する固定強磁性層と,前記自由強磁性層と前記固定強磁性層との間に介設されたトンネル絶縁層を含む磁気抵抗素子と, 前記磁気抵抗素子を他の素子に電気的に接続する非磁性の導体と, 前記導体と前記磁気抵抗素子との間に設けられた拡散防止構造体とを備えた磁気抵抗デバイス。

IPC (1)：

H01L43/08

FI (1)：

H01L43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

磁気素子とそれを用いた磁気センサおよび磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-185479 Applicant：株式会社東芝
強磁性トンネル接合素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-212595 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-057908 Applicant：松下電器産業株式会社

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Cited by examiner (10)

磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-111419 Applicant：株式会社東芝
磁気メモリ装置の製造方法および磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-129509 Applicant：ソニー株式会社
MRAM構造を側壁によって閉じ込める、自己整合型かつトレンチなし磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-574699 Applicant：マイクロンテクノロジーインコーポレイテッド

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