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J-GLOBAL ID:200903005992858998

高周波放電プラズマ生成型二段式ホール効果プラズマ加速器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜 ,  近藤 直樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004338676
Publication number (International publication number):2006147449
Application date: Nov. 24, 2004
Publication date: Jun. 08, 2006
Summary:
【課題】 イオン加速とプラズマ生成とを独立して制御できるホール効果プラズマ加速器を提供する。【解決手段】 ガス導入口205bを有する環状加速チャネル202と、高周波供給部213,214と、アノード206と、カソード207と、中和電子発生部207,210と、磁界発生手段201,203a,203b,204と、高周波発振器215を有し、導入されたガスは高周波によって電離・プラズマ化し、プラズマの陽イオンはアノード206とカソード207との間に印加される加速電圧によって加速されて外部に噴射され、プラズマの電子は磁界との相互作用により軸方向の移動が制限される二段式ホール効果プラズマ加速器200は、加速制御量たる加速電圧209でイオンの加速度が制御され、加速制御量と独立制御されるプラズマ化制御量たる高周波出力でプラズマの発生量が制御される。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
イオン加速部と、当該イオン加速部に高周波を供給する高周波供給部とからなり、 前記イオン加速部は、 異なる半径を有する2つの同心円筒状構造体とそれに挟まれた空間とからなり、一方の底面側がイオン噴射のための開口部となっており、他方の底面端に前記高周波供給部が配された環状加速チャネルと、 プラズマ化するためのガスを前記環状加速チャネルの外部から内部に導入するための、前記環状加速チャネルの前記高周波供給部側に近接して設けられたガス導入口と、 前記環状加速チャネル内の前記高周波供給部側に近接して設けられたアノードと、 前記環状加速チャネルの開口部の近傍に設けられ、前記アノードとの間に所定の強さの加速電圧が印加されたカソードと、 前記環状加速チャネルから噴射されるイオンの電荷を中和するための電子を発生する中和電子発生部と、 前記環状加速チャネルの中心軸から放射方向に所定の強さの分布の磁界を発生する磁界発生手段と、 前記環状加速チャネルの内部に導入される高周波を発生する高周波発生手段と、を有し、 前記ガス導入口から前記環状加速チャネル内に導入されたガスは、前記高周波供給部から供給される高周波によって電離させられてプラズマ化し、 発生した前記プラズマに含まれる陽イオンは、前記アノードと前記カソードとの間に印加される加速電圧によって前記環状加速チャネル内からそれの前記開口部方向へ加速されることによって外部に噴射され、 発生した前記プラズマに含まれる電子は、前記放射方向の磁界との相互作用により前記円筒状構造体の軸方向の移動が制限されるものであり、 前記高周波供給部は、 前記高周波発生手段によって発生させられた高周波を前記環状加速チャネルの内部に導入するための高周波導入手段を有する、高周波放電プラズマ生成型二段式ホール効果プラズマ加速器であって、 前記イオン加速部は、加速制御量としての加速電圧でイオンの加速度を制御し、 前記高周波供給部は、前記加速制御量と独立して制御されるプラズマ化制御量としての高周波出力でプラズマの発生量を制御することを特徴とする高周波放電プラズマ生成型二段式ホール効果プラズマ加速器。
IPC (3):
H05H 1/54 ,  F03H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (3):
H05H1/54 ,  F03H1/00 A ,  H05H1/46 C
F-Term (1):
5C030BB09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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