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J-GLOBAL ID：200903006100352293

GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 上村 俊也 ,  柴田 直樹 ,  野杁 静代 ,  村上 正紀 ,  小出 康夫
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996334956
Publication number (International publication number)：1998163529
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】透光性電極の酸化を防止し、経時的に安定した発光パターン及び低駆動電圧を得ること。【解決手段】蒸着により、p+ 層7の表面上に、コバルト(Co)から成る層を形成し、その層上に金(Au)から成る層を形成して、熱処理によりそれら層を合金化することにより透光性電極8Aを形成する。これによりコバルト(Co)上に金(Au)が積層されているので、コバルト(Co)の酸化を阻止でき、透光性電極8Aの接触抵抗を低減させ、透光性を向上できると共に、経時的に安定した発光パターンが得られる。又、コバルト(Co)は仕事関数が大きい元素であるので、良好なオーミック特性が得られる。

Claim (excerpt)：

p型GaN 系化合物半導体層を有する発光素子において、前記p型GaN 系化合物半導体層の電極として、コバルト(Co)合金、又はパラジウム(Pd)、又はパラジウム(Pd)合金から成り、透光性並びにオーミック特性を有する金属層を有することを特徴とするGaN 系化合物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281170   Applicant：日亜化学工業株式会社