GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996334956
Publication number (International publication number)：1998163529
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】透光性電極の酸化を防止し、経時的に安定した発光パターン及び低駆動電圧を得ること。【解決手段】蒸着により、p+ 層7の表面上に、コバルト(Co)から成る層を形成し、その層上に金(Au)から成る層を形成して、熱処理によりそれら層を合金化することにより透光性電極8Aを形成する。これによりコバルト(Co)上に金(Au)が積層されているので、コバルト(Co)の酸化を阻止でき、透光性電極8Aの接触抵抗を低減させ、透光性を向上できると共に、経時的に安定した発光パターンが得られる。又、コバルト(Co)は仕事関数が大きい元素であるので、良好なオーミック特性が得られる。

Claim (excerpt)：

p型GaN 系化合物半導体層を有する発光素子において、前記p型GaN 系化合物半導体層の電極として、コバルト(Co)合金、又はパラジウム(Pd)、又はパラジウム(Pd)合金から成り、透光性並びにオーミック特性を有する金属層を有することを特徴とするGaN 系化合物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-281170 Applicant：日亜化学工業株式会社
3-5族化合物半導体用電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-346130 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-341612 Applicant：株式会社東芝

Show all

Cited by examiner (1)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-281170 Applicant：日亜化学工業株式会社

Return to Previous Page