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J-GLOBAL ID：200903006255224712

III族窒化物結晶の製造方法、半導体基板の製造方法、III族窒化物結晶、半導体基板および電子デバイス

Inventor：
北岡 康夫

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峯本 尚

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木戸口 勲

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佐々木 孝友

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森 勇介

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川村 史朗

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Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

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森 勇介

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Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004187983
Publication number (International publication number)：2005039248
Application date： Jun. 25, 2004
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：
【課題】 高品位であり、製造効率も高く、しかも半導体製造プロセスの基板として使用可能で、有用なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】 組成式AluGavIn1-u-vN(ただし0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体からなり、その表面に結晶核発生領域12aを備える半導体層12を形成し、窒素を含む雰囲気中において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムからなる群から選択される少なくとも1つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液に半導体層12の結晶核発生領域12aを接触させることによって、半導体層12上にIII族窒化物結晶13を成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
(i)組成式AluGavIn1-u-vN(ただし0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体からなり、表面に結晶核発生領域を備える半導体層を形成する工程と、 (ii)窒素を含む雰囲気中において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムからなる群から選択される少なくとも1つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液に前記半導体層の前記結晶核発生領域を接触させることによって、前記半導体層上にIII族窒化物結晶を成長させる工程とを含むIII族窒化物結晶の製造方法。
IPC (5)：
H01L21/208 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (4)：
H01L21/208 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01L29/80 B
F-Term (38)：
5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA63 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F053AA03 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053PP02 ,  5F053RR04 ,  5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102HC01 ,  5F173AA08 ,  5F173AG14 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH48 ,  5F173AH49 ,  5F173AP03 ,  5F173AP04 ,  5F173AP12 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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