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J-GLOBAL ID：200903006477037953

水素選択性ガス分離膜、水素選択性ガス分離材及びこれらの製造方法

Inventor：
稲田 健志

About 稲田 健志

, 
宇野 直樹

About 宇野 直樹

, 
幾原 裕美

About 幾原 裕美

, 
岩本 雄二

About 岩本 雄二


Applicant, Patent owner：
財団法人ファインセラミックスセンター

About 財団法人ファインセラミックスセンター


Agent (2)： 小島 清路 ,  谷口 直也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004055444
Publication number (International publication number)：2005118767
Application date： Feb. 27, 2004
Publication date： May. 12, 2005
Summary：
【課題】 水素ガスを選択的且つ効率的な分離に好適な水素選択性ガス分離膜及び水素選択性ガス分離材並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の分離膜は、水素ガスに対して親和性の高い金属の元素、Si及びOを含み、且つ、Si-O結合を有する。本発明の水素選択性ガス分離材は、多孔質基部と、この多孔質基材の表面に配設された本発明の分離膜とを備える。本発明の水素選択性ガス分離材は、多孔質基材と、この多孔質基材の表面に配設された膜とを備え、この膜は、少なくとも2層以上から構成され、各層の元素分布が異なる。上記膜の表層又は多孔質基材に接する側の層に、水素ガスに対して親和性の高い金属(8族の元素)を含むことが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
水素ガスに対して親和性の高い金属の元素、Si及びOを含み、且つ、Si-O結合を有する(但し、該元素がNiであり且つ本水素選択性ガス分離膜が単層である場合を除く)ことを特徴とする水素選択性ガス分離膜。
IPC (4)：
B01D71/02 ,  B01D53/22 ,  B01D67/00 ,  C04B41/85
FI (4)：
B01D71/02 500 ,  B01D53/22 ,  B01D67/00 500 ,  C04B41/85 C
F-Term (22)：
4D006GA41 ,  4D006HA28 ,  4D006JA02C ,  4D006JA03A ,  4D006KA31 ,  4D006KB30 ,  4D006MA02 ,  4D006MA06 ,  4D006MA07 ,  4D006MA09 ,  4D006MA30 ,  4D006MA31 ,  4D006MB04 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03X ,  4D006NA32 ,  4D006NA46 ,  4D006NA50 ,  4D006NA54 ,  4D006NA62 ,  4D006PA01 ,  4D006PB66
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開昭62-273030号公報
Cited by examiner (12)
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