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J-GLOBAL ID:200903006508277540

レジスト組成物及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997149744
Publication number (International publication number):1998282649
Application date: Jun. 06, 1997
Publication date: Oct. 23, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体基板等の微細パタン形成において高精度な加工を実現する、高感度、高耐熱性、高強度のレジスト組成物とその製造方法を提供する。【解決手段】 炭素原子の集合体を主たる構成要素とする微粒子を含有するレジスト組成物。基板上にレジスト膜を形成する第1の工程と、炭素原子の集合体を主たる構成要素とする微粒子を堆積する第2の工程とを繰り返して行うレジスト組成物の製造方法。上記炭素原子の集合体の例には、フラーレン、又はフラーレン誘導体がある。
Claim (excerpt):
レジストと、前記レジストに混入される、炭素原子の集合体を主たる構成要素とする微粒子とを有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (6):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (6):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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