Pat

J-GLOBAL ID：200903006816916490

半導体集積回路の回路シミュレーション装置

Inventor： 福島 康
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002069296
Publication number (International publication number)：2003271692
Application date： Mar. 13, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】 回路シミュレーションを精度良く行うことができる、半導体集積回路の回路シミュレーション装置を提供する。【解決手段】 半導体集積回路の回路シミュレーションに使用するSPICEパラメータにおいて、SPICEパラメータは、電源電圧領域の全範囲を表現するSPICEパラメータを用いる手段と、ゲートソース間電圧であるVgsの低い領域を表現するSPICEパラメータを用いる手段、とに分割されたSPICEパラメータのセットを有する。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の回路シミュレーションに使用するSPICEパラメータにおいて、前記SPICEパラメータは、電源電圧領域の全範囲を表現するSPICEパラメータを用いる手段と、ゲートソース間電圧であるVgsの低い領域を表現するSPICEパラメータを用いる手段、とに分割されたSPICEパラメータのセットを有することを特徴とする半導体集積回路の回路シミュレーション装置。

IPC (3)：

G06F 17/50 662 ,  H01L 21/82 ,  H01L 29/00

FI (3)：

G06F 17/50 662 G ,  H01L 29/00 ,  H01L 21/82 C

F-Term (6)：

5B046AA08 ,  5B046BA03 ,  5B046JA04 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09 ,  5F064HH12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 回路シミュレーション方法、回路シミュレーション装置、及び記憶媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-178472   Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• M0SFETのデバイスモデルとパラメータ抽出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-322519   Applicant：日本電気株式会社
• 電界効果トランジスタの回路シミュレーション用モデル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-195586   Applicant：富士通株式会社
• 回路シミュレーション用モデルパラメータ最適化装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-220900   Applicant：シャープ株式会社
• 統計モデルパラメータ抽出方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-106695   Applicant：株式会社日立製作所
• 回路シミュレーション方法、その装置および回路シミュレーションプログラムの記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-259821   Applicant：株式会社東芝