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J-GLOBAL ID：200903078748939320

珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法

Inventor： 可児 利佳子 ,  早瀬 修二 ,  御子柴 智 ,  中野 義彦 ,  佐藤 康彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997063277
Publication number (International publication number)：1998251519
Application date： Mar. 17, 1997
Publication date： Sep. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Tg が高く耐熱性を有する微細なSiO2 パターンを、アルカリ現像によって精度よく形成可能であって、しかもdeepUV領域での透明性に優れた珪素組成物を提供する。【解決手段】 ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物と、酸により分解し酸を生成し得る化合物と、光の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とする珪素組成物である。

Claim (excerpt)：

ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物と、酸により分解し酸を生成し得る化合物と、光の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とする珪素組成物。

IPC (4)：

C08L 83/05 ,  B05D 7/24 302 ,  C08G 77/12 ,  H01L 21/312

FI (4)：

C08L 83/05 ,  B05D 7/24 302 Y ,  C08G 77/12 ,  H01L 21/312 B