Pat

J-GLOBAL ID：200903007495111229

窒化ホウ素膜の成膜方法及び成膜装置

Inventor： 加藤 昌浩 ,  嶋津 正 ,  西森 年彦
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (4)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002351251
Publication number (International publication number)：2004186403
Application date： Dec. 03, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

【課題】低比誘電率、かつ優れた金属拡散防止機能を有する窒化ホウ素膜を提供する。【解決手段】高周波アンテナ7及び高周波電源9により、主として成膜室2に導入されたアンモニアガス11をプラズマ化し、成膜室2内にプラズマ10を発生させると共に、成膜室2内に導入されたジボランガスとプラズマ化されたアンモニアガスとを反応させ、基板6の温度を制御することにより、基板6に低比誘電率、かつ優れた金属拡散防止機能を有する窒化ホウ素膜15を成膜する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

成膜室内にプラズマを発生させ、前記成膜室内でジボランガスとアンモニアガスとを反応させ、基板に窒化ホウ素膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

H01L21/318 ,  C23C16/38 ,  H01L21/768

FI (3)：

H01L21/318 B ,  C23C16/38 ,  H01L21/90 K

F-Term (31)：

4K030AA07 ,  4K030AA13 ,  4K030BA39 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  5F033RR05 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT01 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW06 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058BA20 ,  5F058BC07 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭63-083273
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-193001   Applicant：シャープ株式会社
• 成膜方法及び成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-093499   Applicant：三菱重工業株式会社, 杉野隆
• 特開昭63-083273
  
• 低誘電率六方晶窒化ホウ素膜、層間絶縁膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-193734   Applicant：三菱重工業株式会社
• 成膜方法及び成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-093500   Applicant：三菱重工業株式会社, 杉野隆
• 成膜方法及び成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-093502   Applicant：三菱重工業株式会社, 杉野隆