Pat
J-GLOBAL ID：200903007835157776

ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor：
水谷 一良

About 水谷 一良

, 
安波 昭一郎

About 安波 昭一郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 萩野 平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999277016
Publication number (International publication number)：2001100420
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、高感度で0.2μm以下の高解像力を有し、かつ矩形形状のフォトレジストを与え、また二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。【解決手段】少なくとも式(I)で示される構造単位{Lは-A-OCO-、-A-COO-、-A-NHCO-、-A-NHCOO-、-A-NHCONH-、-A-CONH-、-A-OCONH-又は-A-S-を表し、Aは単結合又はアリーレン基、Xは2価の連結基、Qは水素原子又は酸分解性基(但し式(I)を含むポリシロキサン中で全てのQが水素原子になることはない)、nは1〜6の整数を表す}を含有する酸分解性ポリシロキサンを含有するポジ型フォトレジスト組成物。【化1】
Claim (excerpt)：
少なくとも下記一般式(I)で示される構造単位を含有する酸分解性ポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式(I)中、Lは-A-OCO-、-A-COO-、-A-NHCO-、-A-NHCOO-、-A-NHCONH-、-A-CONH-、-A-OCONH-及び-A-S-から選択される少なくとも1つの2価の連結基を表す。Aは単結合又はアリーレン基を表す。Xは2価の連結基を表す。Qは水素原子または酸分解性基を表すが、一般式(I)を含むポリシロキサン中で全てのQが水素原子になることはない。nは1〜6の整数を表す。
IPC (6)：
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/3492 ,  C08K 5/353 ,  C08L 83/06 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027
FI (7)：
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/3492 ,  C08K 5/353 ,  C08L 83/06 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 573
F-Term (32)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB08 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA13 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  4J002CP03W ,  4J002CP03X ,  4J002CP05W ,  4J002CP05X ,  4J002CP09W ,  4J002CP09X ,  4J002EJ017 ,  4J002EU186 ,  4J002EU226 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  5F046NA05 ,  5F046NA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM