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J-GLOBAL ID：200903007850696616

基板処理方法および装置

Inventor：
葛本 昌樹

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野田 清治

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大家 泉

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宮本 誠

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堀邊 英夫

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片岡 辰雄

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大石 哲士

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Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

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島田理化工業株式会社

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Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000118433
Publication number (International publication number)：2001223206
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：
【要約】【課題】 基板に供給された湿潤オゾン含有ガスのオゾン量と蒸気量との比率を制御することにより、処理速度の飛躍的な向上を図ることができる基板処理方法および装置を提供する。【解決手段】 処理液により湿潤した湿潤オゾン含有ガスを基板2の表面の被処理物に供給して被処理物を処理する基板処理装置であって、前記基板2を室温より高い温度に保持する基板加熱手段4と、オゾン含有ガスを処理液により湿潤させて湿潤オゾン含有ガスを得る湿潤手段7と、前記基板表面被処理物に湿潤オゾン含有ガスを供給する供給手段5と、前記湿潤手段と供給手段をつなぐ送気管8と、前記湿潤手段、供給手段および送気管をそれぞれ前記基板の温度と同等程度あるいはそれ以上となるように加熱する加熱手段81とを備えている。
Claim (excerpt)：
処理液により湿潤した湿潤オゾン含有ガスを基板表面の被処理物に供給して被処理物を処理する湿潤オゾン含有ガスによる処理工程を備えた基板処理方法であって、前記湿潤オゾン含有ガスは前記基板温度における飽和蒸気量より多い処理液の蒸気を含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23G 5/00 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (4)：
C23G 5/00 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A
F-Term (30)：
2H096AA25 ,  2H096LA01 ,  2H096LA02 ,  4K053PA09 ,  4K053PA17 ,  4K053QA04 ,  4K053RA02 ,  4K053RA07 ,  4K053SA19 ,  4K053SA20 ,  4K053TA06 ,  4K053TA18 ,  4K053XA01 ,  4K053XA07 ,  4K053XA11 ,  4K053XA50 ,  4K053YA02 ,  4K053YA03 ,  4K053YA04 ,  5F004AA16 ,  5F004BB02 ,  5F004BB28 ,  5F004BC07 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F004FA08 ,  5F046MA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (20)
  • 特開平4-302144
  • 半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-331555   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
  • プラズマアッシング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-308591   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
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