ナノ金属粒子及びナノ金属薄膜の形成方法、並びにナノ金属粒子のサイズ制御方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人エクシオ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006280929
Publication number (International publication number)：2008095163
Application date： Oct. 16, 2006
Publication date： Apr. 24, 2008
Summary：

【課題】同軸型真空アーク蒸着装置を用い、所定の粒径を有するナノ金属粒子及びナノ粒子から構成される金属薄膜の形成方法、並びにナノ金属粒子の粒子サイズ制御方法の提供。【解決手段】近傍にコンデンサを設けた同軸型真空アーク蒸着源を備えた同軸型真空アーク蒸着装置を用い、主放電の放電時間が1000μ秒以下となるように、また、尖頭電流値が2000A以上の放電波形を有するように設定して、トリガ放電を発生させてアーク放電を誘起させ、また、基板を400°C以上に加熱しながら、カソード電極から生じる金属粒子をチャンバ内へ放出せしめ、基板上にナノ金属粒子又はナノ金属粒子から構成される薄膜を形成する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

円筒状のトリガ電極と、ナノ金属粒子形成用金属材料で少なくとも先端部が構成された円筒状のカソード電極と、前記トリガ電極及びカソード電極の間に両者を離間させるために設けられた円板状の絶縁碍子と、前記カソード電極の周りに同心状に配置された円筒状のアノード電極とを有する同軸型真空アーク蒸着源を備えた真空チャンバからなる同軸型真空アーク蒸着装置を用い、前記トリガ電極とアノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、前記カソード電極とアノード電極との間にアーク放電を断続的に誘起させ、また、基板を400°C以上、前記金属材料の融点未満の温度に加熱しながら、前記カソード電極の金属材料から生じる金属粒子を真空チャンバ内へ放出せしめ、基板上にナノ金属粒子を形成することを特徴とするナノ金属粒子形成方法。

IPC (4)：

C23C 14/24 , B82B 3/00 , C23C 14/06 , B22F 9/14

FI (4)：

C23C14/24 F , B82B3/00 , C23C14/06 N , B22F9/14 Z

F-Term (21)：

4K017AA02 , 4K017BA02 , 4K017BA03 , 4K017BA04 , 4K017BA06 , 4K017CA08 , 4K017EF01 , 4K029AA04 , 4K029BA13 , 4K029BB07 , 4K029CA01 , 4K029DB03 , 4K029EA08 , 5H018AA01 , 5H018BB07 , 5H018DD08 , 5H018EE02 , 5H018HH01 , 5H018HH06 , 5H018HH08 , 5H018HH10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

カーボンナノチューブの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-182468 Applicant：本田技研工業株式会社, 中山喜萬
特願2006-239748(特許請求の範囲、図1及び図2)

Cited by examiner (2)

蒸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-071526 Applicant：国立大学法人九州大学, 株式会社アルバック
超微粒積層膜と、それを有する工具用複合高硬度材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-255561 Applicant：住友電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

アークプラズマガンによるナノ薄膜、ナノ粒子の形成について

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