半導体光デバイス

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999328223
Publication number (International publication number)：2001148531
Application date： Nov. 18, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】光増幅素子、光導波路、および光学素子をGaAs基板上に集積した半導体光デバイスを提供する。【解決手段】半導体光デバイスは、GaAs半導体基板50上に設けられた光導波路部72及び光増幅部62を備える。光増幅部62は、少なくとも1つの半導体光増幅器を含む。光導波路部72は、光導波路72a、72bを含む光学素子を含む。光導波路72a、72bは、光半導体増幅器に光学的に接続されている。半導体光増幅器は、GaxIn1-xNyAs1-y半導体を含む活性層54a並びに活性層54aを挟む第1導電型クラッド層52a及び第2導電型クラッド層56aを有する。光導波路72a、72bは、GaInNAs半導体及びGaAs半導体の少なくともいずれかを含むコア半導体層66a、並びにコア半導体層66aを挟む第1のクラッド半導体層64a及び第2のクラッド半導体層68aを有する。

Claim (excerpt)：

GaAs半導体基板と、GaInNAs半導体およびGaAs半導体の少なくともいずれかを含み前記GaAs半導体基板上に設けられたコア半導体層、並びにこのコア半導体層を挟むように前記GaAs半導体基板上に設けられた第1および第2のクラッド半導体層を有する光導波路を含む少なくとも1つの光学素子を有する光導波路部と、前記コア半導体層と隣接して前記GaAs半導体基板上に設けられGaxIn1-xNyAs1-y半導体を含む活性層、並びに前記活性層を挟むように前記GaAs半導体基板上に設けられた第1導電型クラッド層および第2導電型クラッド層を有する少なくとも1つの半導体光増幅器を含む光増幅部と、を備える、半導体光デバイス。

IPC (4)：

H01S 5/026 , G02B 6/122 , G02F 1/365 , H01S 5/343

FI (4)：

H01S 5/026 , G02F 1/365 , H01S 5/343 , G02B 6/12 B

F-Term (22)：

2H047KA04 , 2H047KB01 , 2H047LA12 , 2H047MA07 , 2H047QA02 , 2H047RA08 , 2H047TA05 , 2H047TA12 , 2K002AB12 , 2K002BA01 , 2K002CA13 , 2K002DA11 , 2K002DA12 , 2K002EA28 , 2K002HA31 , 5F073AA74 , 5F073AB12 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体構造ダイオード光学スイッチング・アレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-309267 Applicant：ゼロックスコーポレイション
光導波路型フィルタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-233444 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-283422 Applicant：株式会社リコー

Show all

Return to Previous Page