Pat
J-GLOBAL ID:200903008162808881

化学増幅型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999199096
Publication number (International publication number):2001027805
Application date: Jul. 13, 1999
Publication date: Jan. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高いドライエッチング耐性を有するDUVエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィーに好適な化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 酸によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂および光酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物において、多官能(メタ)アクリレートを含むことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
Claim (excerpt):
酸によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂および光酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物において、多官能(メタ)アクリレートを含むことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
IPC (2):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/027 502
FI (2):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/027 502
F-Term (19):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC14 ,  2H025BC43 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA41
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page