半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997246963
Publication number (International publication number)：1998154709
Application date： Sep. 11, 1997
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、超高速デバイスでのCuによる微細なコンタクトホールの形成において、Cuの埋め込み性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、Si基板21上の層間絶縁膜22に微細な接続孔23を形成する。また、絶縁膜22上に、CVD-TiN膜24を10nm程度の膜厚で形成した後、約1μm厚のCu膜25を形成する。このとき、Cu膜中の酸素濃度および硫黄濃度が一定濃度以下になるように成膜の条件を制御することで、高純度なCu膜25を形成する。これにより、接続孔23内への埋め込み時に、レーザ照射によって加熱されるCu膜25の表面拡散性および流動性を促進させるようになっている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜に埋め込み型の配線を形成する半導体装置の製造方法において、前記埋め込み型の配線を、酸素濃度が3ppm以下の、高純度なCuを用いて形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/88 M , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

金属配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-266966 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-183880 Applicant：株式会社東芝
スパッタリングターゲット及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-086931 Applicant：三菱化成株式会社

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