エレクトロルミネセンス装置におけるヘテロ原子位置規則性ポリ(3-置換チオフェン)

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：清水初志 , 新見浩一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007533635
Publication number (International publication number)：2008515194
Application date： Sep. 26, 2005
Publication date： May. 08, 2008
Summary：

置換基にヘテロ原子を有する位置規則性ポリチオフェンポリマーを、エレクトロルミネセンス装置の正孔注入層および正孔輸送層において用いることができる。コポリマーおよび有機酸化物を用いることができる。ホモポリマーを用いることができる。金属不純物を除去することができる。ヘテロ原子は酸素であってもよく、3位で置換されていてもよい。利点には、汎用性、合成の制御、および良好な熱安定性が含まれる。異なる装置設計を用いることができる。

Claim (excerpt)：

3-置換基がそのαまたはβ位のいずれかにヘテロ原子置換を有するアルキル、アリール、またはアルキル/アリール部分である、位置規則性(regio-regular)ポリ(3-置換チオフェン)を含む少なくとも一つのポリマーを含むHIL/HTL層を含むエレクトロルミネセンス装置であって、 HIL/HTL層は酸化剤であるドーピング剤でドープされており;かつドーピング剤は有機酸化剤である装置。

IPC (2)：

H01L 51/50 , C08G 61/12

FI (3)：

H05B33/22 D , H05B33/14 A , C08G61/12

F-Term (18)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB06 , 3K107CC21 , 3K107CC45 , 3K107DD71 , 3K107DD73 , 3K107DD79 , 3K107DD84 , 3K107FF14 , 3K107FF17 , 4J032BA04 , 4J032BB01 , 4J032BB03 , 4J032BB04 , 4J032BC03 , 4J032BD02 , 4J032CG03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

Gambogiら(DuPont)、国際公開公報第2005/081335号
Heeneyら(Merck)、EP 1,279,691
Kollerら、米国特許公報第2005/0080219号

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Cited by examiner (13)

特開平3-181477
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-308286 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-084070 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社

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