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J-GLOBAL ID：200903068386119650

プラズマ処理装置

Inventor：
輿水 地塩

About 輿水 地塩


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996277370
Publication number (International publication number)：1998107012
Application date： Sep. 27, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高周波アンテナのハンチングを防止するとともに、エッチングの選択性や形状の制御特性を向上させる。【解決手段】 高周波誘導型プラズマ処理装置100において、処理室112の誘電体108の上部に配される高周波アンテナ112は、第1高周波アンテナ112aとその外周部に所定間隔を開けて配置される第2高周波アンテナ112bとから構成され、被処理体Wは処理室内に配置された下部電極106上に載置され、第1、第2高周波アンテナおよび下部電極にはそれぞれ独立に位相制御可能な高周波電力を印加することが可能であり、第1、第2高周波アンテナに印加される高周波電力に応じて、下部電極に印加される高周波電力は、位相制御可能であり、さらに1Hz〜1MHzの範囲でパルス変調可能である。
Claim (excerpt)：
処理室の一方壁を誘電体で構成し、その誘電体を介して処理室外に高周波アンテナを配し、その高周波アンテナに高周波電力を印加することにより、処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、処理室内に載置された被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において:前記高周波アンテナは、第1高周波アンテナと、その第1高周波アンテナの外周部に所定間隔を置いて配置される第2高周波アンテナとから構成され;前記被処理体は処理室内に配置された下部電極上に載置され;前記第1高周波アンテナ、前記第2高周波アンテナおよび前記下部電極には、それぞれ独立に位相制御可能な高周波電力を印加することが可能であり;第1高周波アンテナおよび第2高周波アンテナに印加される高周波電力に応じて、前記下部電極に印加される高周波電力は、位相制御可能であるとともに、1Hz〜1MHzの範囲でパルスによる変調可能であることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (2)：
H01L 21/302 B ,  H05H 1/46 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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