非熱的結晶回復法および微細加工方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002238557
Publication number (International publication number)：2004079812
Application date： Aug. 19, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】損傷した結晶を高温に加熱することなく30°C以下の室温で再結晶化させることのできる非熱的結晶回復法および微細加工法を提供する。【解決手段】結晶性材料(1)の表面(2)および内部(4)に形成された損傷領域(5)に、0.01eV以上90eV以下のビームエネルギーの電子線(6)を照射して非熱的に結晶性を回復させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

結晶性材料の表面および内部に形成された損傷領域に、0.01eV以上90eV以下のビームエネルギーの電子線を照射して非熱的に結晶性を回復させることを特徴とする非熱的結晶回復法。

IPC (1)：

H01L21/263

FI (1)：

H01L21/263 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

単色化電子線源およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-221670 Applicant：株式会社日立製作所
半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-056596 Applicant：ソニー株式会社
欠陥性表面応力の緩和方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-361747 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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