エピタキシャルシリコン単結晶ウエ-ハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエ-ハ

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999051784
Publication number (International publication number)：2000044389
Application date： Feb. 26, 1999
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】低ボロン濃度の基板においても高いゲッタリング能力をもち重金属不純物濃度が低く結晶性に優れたエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを、高生産性でかつ簡単に作製する。【解決手段】エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法。

Claim (excerpt)：

エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法。

IPC (5)：

C30B 29/06 502 , C30B 29/06 504 , H01L 21/20 , H01L 21/208 , H01L 21/322

FI (5)：

C30B 29/06 502 H , C30B 29/06 504 F , H01L 21/20 , H01L 21/208 P , H01L 21/322 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-201762 Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
特開昭60-251190
シリコン単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-128062 Applicant：信越半導体株式会社

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