コンデンサ部を備えた半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000372407
Publication number (International publication number)：2002064184
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】コンデンサ部の製造工程を減らし、コストの低減を図ると共に、高集積化を可能とし、金属配線残り(残さ)が生じにくいコンデンサ部を備えた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】上部電極13Aを形成した後に、下部電極11Aを形成するためのレジストパターンを形成し、絶縁膜層12、第1の金属層11をエッチング処理することにより、第1の金属層11に直接レジストパターンを形成しなくとも、1回のレジストパターン形成後、絶縁膜層12と、第1の金属層11とをエッチング処理することにより下部電極11A及び配線パターン11Bを同じに形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に下部電極及び配線パターンとなり得る第1の金属層と、絶縁膜層と、上部電極となり得る第2の金属層とを順に積層し、前記第2の金属層をレジストパターンを用いてエッチング処理することにより上部電極を形成し、前記上部電極を覆う領域に下部電極及び配線パターンを形成するためのレジストパターンを形成し、該レジストパターンに従い、前記絶縁膜層及び前記第1の金属層をエッチング処理することを特徴とするコンデンサ部を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 27/04 C , H01L 21/88 C

F-Term (25)：

5F033JJ19 , 5F033KK09 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN34 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033SS15 , 5F033VV10 , 5F033XX21 , 5F033XX31 , 5F033XX33 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

二重金属二重スタッド構造によるフレキシブル相互接続を有する電子装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-121130 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平4-320050
半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-106623 Applicant：富士通株式会社

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