Pat
J-GLOBAL ID：200903009657335889

半導体装置

Inventor：
井上 晃

About 井上 晃

, 
後藤 清毅

About 後藤 清毅


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (3)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005004387
Publication number (International publication number)：2006197021
Application date： Jan. 11, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：
【課題】 整合回路基板内で高調波整合をとることによって効率の高い半導体装置を提供する。また、高調波を略全反射させることによって、高調波が外部へ漏れるのを抑制することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 基板分割切込7よって分断された少なくとも1つの配線領域に、配線が平面で見てコの字状に形成されていない領域6を少なくとも1つ有し、領域6によって三方が囲まれた配線の長さ方向の寸法を高調波のインピーダンスがショートとなる寸法に設定する。寸法は、n(nは整数)倍高調波の1/(4n)波長に実質的に等しい値とすることができる。領域6の両末端部は、FET1に近い側に配置されていることが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
トランジスタと、 前記トランジスタに電気的に接続する整合回路基板と、 前記整合回路基板の表面に形成された配線を分断する配線分断領域とを備えた半導体装置であって、 前記配線分断領域によって分断された少なくとも1つの配線領域に、前記配線が平面で見てコの字状に形成されていない領域を少なくとも1つ有し、該領域によって三方が囲まれた前記配線の長さ方向の寸法を高調波のインピーダンスがショートとなる寸法にしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01P 1/20 ,  H01L 23/12 ,  H01P 5/02 ,  H01P 5/08
FI (4)：
H01P1/20 Z ,  H01L23/12 301Z ,  H01P5/02 603E ,  H01P5/08 L
F-Term (5)：
5J006HD07 ,  5J006HD08 ,  5J006HD12 ,  5J006JA34 ,  5J006LA21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
Show all
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM