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J-GLOBAL ID：200903009884048209

エッチング方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 伊藤 浩之 ,  北島 洋 ,  大戸 秀 ,  山田 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体先端テクノロジーズ ,  三菱瓦斯化学株式会社
Agent (3)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003307227
Publication number (International publication number)：2005079316
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】 素子分離領域あるいはSi基板のエッチングを抑えつつ、High-k膜のエッチングを行う。【解決手段】 下層基板上に形成された酸化ハフニウム、あるいは、酸化ジルコニウム系の材料からなる膜をエッチングする際に、エッチング液として、フッ素化合物及び有機酸を含む水溶液を用いる。また、ゲート絶縁膜として、酸化ジルコニウム系、あるいは、酸化ハフニウム系の材料からなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

下層基板上に形成された酸化ハフニウム系、あるいは、酸化ジルコニウム系の材料からなる膜をエッチングする際に、 エッチング液として、有機酸及びフッ素化合物を含む水溶液を用いることを特徴とするエッチング方法。

IPC (2)：

H01L21/308 ,  H01L29/78

FI (2)：

H01L21/308 E ,  H01L29/78 301G

F-Term (23)：

5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043GG10 ,  5F140AA26 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE14 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG45 ,  5F140BH14 ,  5F140BK01 ,  5F140BK09 ,  5F140CB08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-267101   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (4)

• エッチング剤及びエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-207819   Applicant：東ソー株式会社
• 高誘電率薄膜エッチング剤組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-092794   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社
• 高誘電率薄膜エッチング剤組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-084472   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社
• 酸化ハフニウムのエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-195009   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社