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J-GLOBAL ID：200903009916805147

ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor：
辻 裕光

About 辻 裕光

, 
遠藤 浩太朗

About 遠藤 浩太朗


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003409500
Publication number (International publication number)：2005172949
Application date： Dec. 08, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：
【課題】解像性は維持しつつ、レジストパターンの形状、すなわち、矩形性および膜減りを改善したホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基と(ii)アルコール性水酸基とを共に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、 露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)として、少なくとも以下、一般式(1) 【化1】[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2〜6のアルキレン基を表し;R1〜R3は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し、R1〜R3のうち少なくとも1つはアリール基を表す]で表される少なくとも1種のスルホニウム化合物とを含んでなることを特徴とする。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基と(ii)アルコール性水酸基とを共 に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、 (B)下記、一般式(1)
IPC (3)：
G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (4)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
F-Term (13)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025DA19 ,  2H025FA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • ポジ型レジスト組成物
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-149620   Applicant：富士写真フイルム株式会社
Cited by examiner (6)
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