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J-GLOBAL ID：200903022342276384

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  原田 裕次 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002182430
Publication number (International publication number)：2003089708
Application date： Jun. 24, 2002
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】 式(1m)、(1n)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>はH、F、アルキル又はF化アルキル、R<SP>3</SP>はF、又はF化アルキル、R<SP>4</SP>は酸不安定基、R<SP>5a</SP>、R<SP>5b</SP>、R<SP>6a</SP>、R<SP>6b</SP>は密着性基、H、OH、アルキル又はF化アルキル、(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>CO<SB>2</SB>R<SP>7</SP>又は(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>C(R<SP>8</SP>)<SB>2</SB>(OR<SP>7</SP>)、R<SP>7</SP>は酸不安定基、密着性基、H、アルキル又はF化アルキル、R<SP>8</SP>はH、F、又はF化アルキル、0<m<1、0<n<1、0<m+n≦1、cは0又は1、dは0〜6の整数。)【効果】 本発明の高分子化合物を含むレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下の波長における感度が優れ、レジストの透明性が向上し、優れたプラズマエッチング耐性を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1m)、(1n)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>3</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>は炭素数6〜20の少なくとも1つ以上の環状構造を持つ酸不安定基である。R<SP>5a</SP>、R<SP>5b</SP>、R<SP>6a</SP>及びR<SP>6b</SP>は同一又は異種の密着性基又は水素原子、水酸基、カルボキシル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>CO<SB>2</SB>R<SP>7</SP>、又は(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>C(R<SP>8</SP>)<SB>2</SB>(OR<SP>7</SP>)である。R<SP>7</SP>は酸不安定基、密着性基、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。また、R<SP>5a</SP>、R<SP>5b</SP>、R<SP>6a</SP>及びR<SP>6b</SP>はいずれか2つが互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。R<SP>8</SP>は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。0<m<1、0<n<1であり、0<m+n≦1である。cは0又は1であり、dは0〜6の整数である。)

IPC (6)：

C08F220/18 ,  C08F212/14 ,  C08F220/24 ,  C08F232/00 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (6)：

C08F220/18 ,  C08F212/14 ,  C08F220/24 ,  C08F232/00 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (44)：

2H025AA01 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07R ,  4J100AL08P ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04R ,  4J100BA16Q ,  4J100BA28P ,  4J100BA29P ,  4J100BA30P ,  4J100BA31P ,  4J100BA51P ,  4J100BA58P ,  4J100BB07P ,  4J100BB07R ,  4J100BB17P ,  4J100BB17Q ,  4J100BB18P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100BC22P ,  4J100BC23P ,  4J100CA04 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 化学増幅型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-332641   Applicant：住友化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-254106   Applicant：住友化学工業株式会社
• 2,2-ビス(2,4-ジ-t-ブトキシカルボニルメチロキシフェニル)プロパン及びその誘導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-306557   Applicant：信越化学工業株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-257756   Applicant：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-309243   Applicant：信越化学工業株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-197475   Applicant：富士通株式会社