Pat
J-GLOBAL ID:200903010300329560

電子放出素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000085092
Publication number (International publication number):2001266736
Application date: Mar. 24, 2000
Publication date: Sep. 28, 2001
Summary:
【要約】【課題】 電子放出量の多い電子放出素子を提供すること。【解決手段】 本発明は、ダイヤモンド10の表面の電子放出部4から電子を放出する電子放出素子1において、電子放出部4に電子を供給するための電子供給部2が、ダイヤモンド10の表面に設けられていることを特徴とする。
Claim (excerpt):
ダイヤモンドの表面の電子放出部から電子を放出する電子放出素子において、前記電子放出部に電子を供給するための電子供給部が、前記ダイヤモンドの表面に設けられていることを特徴とする電子放出素子。
IPC (2):
H01J 1/304 ,  H01J 9/02
FI (2):
H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
Show all
Article cited by the Patent:
Return to Previous Page