半導体光センサ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊丹勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002281609
Publication number (International publication number)：2004119713
Application date： Sep. 26, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：

【課題】迷光の影響を低減した高性能の半導体光センサ装置を提供する。【解決手段】半導体光センサ装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜により分離されて形成された半導体層と、前記半導体層の表面近傍に形成された第1のフォトダイオードと、前記半導体層の前記第1のフォトダイオードの下方に形成された第2のフォトダイオードと、前記半導体層に形成された、前記第1及び第2のフォトダイオードの出力信号を処理する信号処理回路とを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜により分離されて形成された半導体層と、前記半導体層の表面近傍に形成された第1のフォトダイオードと、前記半導体層の前記第1のフォトダイオードの下方に形成された第2のフォトダイオードと、前記半導体層に形成された、前記第1及び第2のフォトダイオードの出力信号を処理する信号処理回路と、を有することを特徴とする半導体光センサ装置。

IPC (3)：

H01L31/10 , G01J1/02 , H01L27/146

FI (3)：

H01L31/10 A , G01J1/02 S , H01L27/14 A

F-Term (32)：

2G065AB04 , 2G065BA09 , 2G065BA32 , 2G065BB25 , 2G065BC02 , 2G065CA08 , 2G065DA20 , 4M118AB04 , 4M118AB10 , 4M118BA02 , 4M118CA02 , 4M118CA22 , 4M118CA25 , 4M118CA27 , 4M118CA32 , 4M118FC09 , 4M118FC14 , 4M118FC15 , 4M118FC18 , 4M118FC20 , 4M118GB03 , 4M118GB11 , 4M118GB15 , 5F049MA01 , 5F049MB03 , 5F049NA04 , 5F049NA10 , 5F049QA03 , 5F049QA07 , 5F049QA15 , 5F049RA06 , 5F049SS01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-331630 Applicant：株式会社デンソー
特開昭55-017461
金属・半導体・金属光検出器及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-231801 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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