Pat

J-GLOBAL ID：200903010478405562

ひずみ緩和されたSiGeオン・インシュレータ及びその製造方法

Inventor： ベデル、ステファン、ダブリュ ,  チュー、ジャック、オー ,  フォーゲル、キース、イー ,  ケスター、ステファン、ジェイ ,  サダーナ、デーヴェーンドラ、ケイ ,  オット、ジョン、アルブレヒト
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003562993
Publication number (International publication number)：2005516395
Application date： Jan. 16, 2003
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：

【課題】 薄く高品質でひずみ緩和されたSiGeオン・インシュレータ基板材料を形成する方法を提供することにある。【解決手段】 この方法は、まずGeの拡散に対し抵抗力のあるバリア層の上に存在する第1の単結晶Si層の表面上にSiGe層または純粋Ge層を形成するステップを含む。任意選択でSiGe層または純粋Ge層の上にSiキャップ層を形成し、その後、第1の単結晶Si層、任意選択のSiキャップ層、およびSiGe層または純粋Ge層の全体にわたってGeの相互拡散を可能にする温度でこれらの様々な層を加熱し、それによりバリア層の上に実質的にひずみ緩和された単結晶SiGe層を形成する。上記のステップに続いて、追加のSiGe再成長および/またはひずみエピタキシャルSi層の形成を行うことができる。SiGeオン・インシュレータ基板材料ならびに少なくともSiGeオン・インシュレータ基板材料を含む構造も本明細書に開示する。

Claim (excerpt)：

(a)第1の単結晶Si層がGe拡散に対し抵抗力のあるバリア層の上に存在するように前記第1の単結晶Si層の表面上にSiGe層または純粋Ge層を形成するステップと、 (b)前記バリア層の上に実質的にひずみ緩和された単結晶SiGe層を形成するため、前記第1の単結晶Si層および前記SiGe層または純粋Ge層の全体にわたってGeの相互拡散を可能にする温度で加熱するステップと、 を有する、SiGeオン・インシュレータ基板材料を製造する方法。

IPC (4)：

H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 ,  H01L29/786

FI (5)：

H01L27/12 E ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E

F-Term (27)：

5F048AC04 ,  5F048BA05 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BD09 ,  5F052JA04 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F110AA26 ,  5F110BB04 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110QQ17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-346561   Applicant：株式会社東芝
• 半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-091686   Applicant：セイコー電子工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-270251   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-248298   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-331409   Applicant：ソニー株式会社
• 疑似基板構造体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-246426   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Fabrication of strained Si on an ultrathin SiGe-on-insulator virtual substrate with a high-Ge fract