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J-GLOBAL ID：200903010634368931

III 族窒化物半導体装置

Inventor： 松井 俊之 ,  松山 秀昭 ,  鈴木 健 ,  上條 洋
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996163872
Publication number (International publication number)：1997326534
Application date： Jun. 04, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】Si結晶または6H-SiC結晶の基板上に亀裂の生じないAlx Gay In1-x-y N 結晶からなるIII 族窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】Alx Gay In1-x-y N(0 ≦x 、y かつ 0≦x+y ≦1)結晶の熱膨張係数より小さな熱膨張係数を持つ結晶からなる基板1上に形成されたAlx Gay In1-x-y N 層Ntを含むIII 族窒化物半導体装置において、前記基板と前記Alx GayIn1-x-y N 層との間に基板材料およびAlx Gay In1-x-y N 結晶の熱膨張係数より大きな熱膨張係数を持つ材料からなる応力緩和層S を介在させる。さらに、応力緩和層と基板との間に、Alx Gay In1-x-y N からなる酸化防止層T を介在さると良い。基板材料はシリコン (Si) 結晶または炭素化シリコン (SiC)結晶であると良い。

Claim (excerpt)：

Alx Gay In1-x-y N (0≦x 、y かつ 0≦x+y ≦1)結晶の熱膨張係数より小さな熱膨張係数を持つ結晶からなる基板上に形成されたAlx Gay In1-x-y N 層を含むIII 族窒化物半導体装置において、前記基板と前記Alx Gay In1-x-y N 層との間に基板材料およびAlx Gay In1-x-y N 結晶の熱膨張係数より大きな熱膨張係数を持つ材料からなる応力緩和層を介在させて、Alx Gay In1-x-y Nに生ずる応力を緩和することを特徴とするIII 族窒化物半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-349727   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体用単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-092926   Applicant：三菱電線工業株式会社
• GaN単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242967   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-192075   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036363   Applicant：株式会社東芝
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-087062   Applicant：旭化成工業株式会社