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J-GLOBAL ID：200903010813852447

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
山路 太平

About 山路 太平

, 
高橋 典生

About 高橋 典生


Applicant, Patent owner：
星和電機株式会社

About 星和電機株式会社


Agent (1)： 河野 登夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001195506
Publication number (International publication number)：2003017748
Application date： Jun. 27, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】 発光効率を向上させることができるGaN系化合物半導体発光素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p型のGaN系化合物半導体にて形成されたp型層4に直接に接触して、ボンディング電極であるp電極6が形成されており、p型層4の表面のp電極6以外の部分に、透光性でp型層4よりも高い導電性を有する電流拡散層5が形成されている。p電極6は、p型層4との間にオーミック接合が得られない材料で形成されており、p型層4のp電極6が直接に接触している部分には、p電極6から電流が流れない。このため、p電極6の直下での発光が禁止され、p電極6の直下で発生した光がp電極6にて遮光される従来のGaN系化合物半導体発光素子に比べて、発光効率を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
p型の導電性を有するp型窒化ガリウム系化合物半導体層と、該p型窒化ガリウム系化合物半導体層よりも高い導電性を有し、該p型窒化ガリウム系化合物半導体層へのオーミック接合が得られる透光性の電流拡散層と、該電流拡散層に接続したボンディング電極とを備える窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ボンディング電極は、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層に接触して形成されており、前記電流拡散層は、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層の前記ボンディング電極が接触していない部分に接面して形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C
F-Term (12)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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